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II-VI LightSmyth™ Nanostrukturiertes Silizium

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II-VI LightSmyth™ Nanopatterned Silicon Stamps

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  • Gerillte Oberflächen im Nanobereich
  • Verschiedene Rillenperioden und Rillentiefen
  • Ideal für nanophotonische Forschungsanwendungen
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II-VI LightSmyth™ Nanostrukturiertes Silizium besteht aus nanostrukturierten Oberflächen auf einkristallinen Siliziumsubstraten. Durch reaktives Ionenätzen entstehen auf der Substratoberfläche lineare Rillen mit trapezförmigem Querschnitt, die konventionellen Gittern ähneln. Der Ätzprozess ermöglicht verschiedene Perioden- und Tiefenspezifikationen für die Rillen sowie komplexere Muster wie z. B. Gitter. II-VI LightSmyth™ Nanostrukturiertes Silizium ist ideal für nanophotonische Forschungsanwendungen in den Bereichen Optik und Photonik, Biologie, Chemie, Nanoimprinten und Mikrofluidik.

Technische Informationen

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SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)

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SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 855nm, 200nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)

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SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Cross Section)

Technische Informationen

SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
SEM Image of 139nm, 50nm Groove Depth Linear Silicon Nanostamps (Top Down)
 
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