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InAsSb-Photovoltaik-Infrarot-Detektor, 2,2 - 13,6 µm, PVIA-4TE-13-1×1-TO8-wZnSeAR36

2.2 - 13.6um InAsSb Photovoltaic Infrared Detector, PVIA-4TE-13-1×1-TO8-wZnSeAR36

2.2 - 13.6um InAsSb Photovoltaic Infrared Detector, PVIA-4TE-13-1×1-TO8-wZnSeAR36

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Spezifikationen

Produktdetails

Typ:
IR Photovoltaic Detector
Modellnummer:
PVIA-4TE-13-1×1-TO8-wZnSeAR36
Gehäuse:
TO-8
Hersteller:
Vigo Photonics

Physikalische und mechanische Eigenschaften

Gewicht (g):
7
Aktive Fläche (mm):
1.00 x 1.00

Optische Eigenschaften

Spektralantwort (nm):
2200 - 13600
Akzeptanzwinkel (°):
36

Umwelt & Haltbarkeit

Betriebstemperatur (°C):
-40 to +70
Lagerungstemperatur (°C):
-40 to +85

Konformität mit Standards

RoHS 2015:
Konformitätszertifikat:
Reach 247:

Produktdetails

  • ·        Mittel- und langwelliger Infrarot-Spektralbereich (MWIR/LWIR)
  • ·        1 × 1 mm² aktive Flächen mit Akzeptanzwinkeln bis zu 90°
  • ·        TO-39- und TO-8-Gehäusetypen mit speziellen Antireflexionsfenstern

Die Infrarot-Detektoren von Vigo Photonics bieten eine leistungsstarke Detektion von mittel- und langwelligen IR-Strahlen mit außergewöhnlicher Empfindlichkeit und Stabilität für anspruchsvolle Anwendungen. Diese HgCdTe- und InAsSb-Detektoren sind mit einer Vielzahl von Kühlkonfigurationen erhältlich, darunter ein-, zwei-, drei- und vierstufige thermoelektrische Kühler, um das Signal-Rausch-Verhältnis zu optimieren. Es werden Modelle mit aktiven Flächen von 1 × 1 mm² und Akzeptanzwinkeln von bis zu 90° angeboten, was eine flexible Systemintegration ermöglicht. Die Infrarotdetektoren von Vigo Photonics verfügen über Präzisionsgehäuse wie TO-39 und TO-8 mit speziellen Antireflexionsbeschichtungen für maximale Transmission. Diese Detektoren vereinen Zuverlässigkeit mit Infrarottechnologie und sind daher ideal für Spektroskopie, Gasanalyse und Verteidigungsanwendungen.

 
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