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Alle 22 Produkte der Produktfamilie

Si (300-1000nm), 10,0mm, Empfangsmodul für Photodioden

Photodiode Receiver Module

Photodiode Receiver Module

Lager #57-627
€725,00
Stk. 1
€725,00
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Typ:
Si
Frequenz (kHz):
DC - 2 Low Gain, DC - 0.5 High Gain
Spannungsversorgung:
±9 V DC to ±15 V DC
Spektralantwort (nm):
300 - 1000
Durchmesser aktive Fläche (mm):
10.0
Empfindlichkeit, hohe Verstärkung @ Peak (V/W):
0.6 x 108
Empfindlichkeit, niedrige Verstärkung @ Peak (V/W):
0.6 x 107
Rauschen, hohe Verstärkung (V/Hz1/2):
1.0 x 10-5
Rauschen, niedrige Verstärkung (V/Hz1/2):
1.0 x 10-6

Konformität mit Standards

RoHS:

Beschreibung Produktfamilie

  • Bestehend aus Detektor und Vorverstärkerelektronik
  • Ausgangsspannung direkt proportional zum Eingangsstrom
  • Si, InGaAs, PbS und PbSe Detektoren erhältlich

Unsere Empfangsmodule für Photodioden vereinfachen die opto-elektronische Systemintegration durch die Kombination eines Detektors mit einer doppelten Vorverstärkerschaltung in einem kompakten Bauteil. Durch Optimierung der beiden Elemente in einem Gehäuse werden elektromagnetische Interferenzen minimiert ohne Baugröße oder Komfort einzubüßen. Die eingebaute Vorverstärkerelektronik ermöglicht das direkte Auslesen der Spannung einer beliebigen UV, VIS oder NIR Quelle mit einem Oszilloskop oder einem Datenerfassungssystem (DAQ). Anwendungen sind unter anderem Spektroskopie, Kameratriggerung, Laborexperimente und industrielle OEM Integration. UV und VIS Detektoren sind aus Silizium hergestellt; NIR Detektoren aus InGaAs, PbS und PbSe. PbS und PbSe Detektoren benötigen zum Betrieb ein moduliertes Infrarotsignal. Thermoelektrisch gekühlte Modelle sind temperaturbeständiger und haben ein besseres Signal-Rausch-Verhältnis. Der Signalausgang erfolgt über einen BNC-Stecker, die Betriebstemperatur beträgt 22°C für Standardmodelle und -30°C für TE gekühlte Modelle. DB-9 Stromkabel inklusive. Spezifikationen zu Ansprechverhalten, Rauschen und Bandbreite werden für niedrige und hohe Verstärkung angegeben.

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