Betriebstemperatur (°C):

-40 to 100

Aktive Fläche (mm):

1.3 x 1.3

Lagerungstemperatur (°C):

-55 to 125

Anstiegszeit (ns):

3.00

Empfindlichkeit bei 970 nm (A/W):

Minimum: 0.6
Typical: 0.65

Kapazität @ V_R=-10V (pF):

5.00

Aktive Fläche (mm²):

1.61

Rauschäquivalente Leistung NEP (W/ Hz^1/2):

8.7 x 10^-15 @ -10 V, 970nm

Max. Sperrspannung (V):

30.00

Modellnummer:

SPOT-4D

Stecker:

41 / TO-5

Dunkelstrom @ V_R=-10V (nA):

Maximum: 1
Typical: 0.1

Segmentabstand (mm):

0.172

Konformität mit Standards

RoHS:

Konform

Konformitätszertifikat:

Anzeigen

Beschreibung Produktfamilie

Hohe Zeit- und Temperaturstabilität
Exzellente Auflösung, hohe Genauigkeit, extrem niedriger Dunkelstrom
Zwei oder vier separate aktive Flächensegmente
Segmentierte InGaAs-Fotodioden sind ebenfalls verfügbar

Segmentierte Fotodioden wurden für eine Vielzahl von Anwendungen entwickelt, die eine hohe Stabilität und kurze Einschwingzeit erfordern. Mit einer Positionsauflösung von unter 0,1 μm eignen sich segmentierte Fotodioden ideal für die Vermessung von Oberflächentopographien, Positionsmessungen oder Justagearbeiten. Segmentierte Fotodioden sind in zwei oder vier separate aktive Bereiche unterteilt und sind im Spektralbereich von 350 - 1000 nm einsetzbar. Durch die segmentierten Bereiche sind verschiedene Messprofile auf einem einzigen Detektor möglich.

Segmentierte Fotodiode, 1,61 mm2, 4 Segmente

Konformität mit Standards

Beschreibung Produktfamilie

Segmentierte Fotodiode, 1,61 mm², 4 Segmente