Betriebstemperatur (°C):

-40 to +75

Aktive Fläche (mm):

1 Dia.

Lagerungstemperatur (°C):

-55 to +125

Empfindlichkeit bei 1310 nm (A/W):

0.85 minimum / 0.9 typical

Empfindlichkeit bei 1550 nm (A/W):

0.9 minimum / 0.95 typical

Anstiegs-/Abfallzeit @ V_R=5V (ns):

3 (typical)

Kapazität @ V_R=5V (pF):

25

Rauschäquivalente Leistung NEP (W/ Hz^1/2):

1.20 x 10^-14 @ 1550nm

Max. Sperrspannung (V):

15

Stecker:

TO-5

Dunkelstrom @ V_R=5V (nA):

Maximum: 15 Typical: 0.5

Segmentabstand (mm):

0.045

Konformität mit Standards

RoHS:

Konform

Konformitätszertifikat:

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Beschreibung Produktfamilie

Vier individuelle aktive Flächen
Hohe Gleichförmigkeit und geringes Übersprechen
Ideal für Positionsdetektion und Strahlausrichtung
Segmentierte Fotodioden und InGaAs-Fotodioden sind ebenfalls verfügbar

Segmentierte InGaAs-Fotodioden besitzen eine große aktive Fläche, die in vier individuelle Elemente unterteilt ist. Diese Elemente haben eine hohe Gleichförmigkeit der Antwort und geringes Übersprechen und bieten so eine hohe Präzision für Nullabgleiche und Zentrierungen. Die Fotodioden sind stabil über Zeit und Temperatur und haben eine Ansprechempfindlichkeit von 900 - 1700 nm mit besonders hoher Empfindlichkeit zwischen 1100 - 1629 nm. Segmentierte InGaAs-Fotodioden sind ideal geeignet für Positionsdetektion, Strahlausrichtung und Strahlprofilmessung im nahinfraroten Spektrum. Jede Fotodiode besitzt ein isoliertes TO-5- oder TO-8-Gehäuse mit einem antireflexbeschichteten Fenster.

Segmentierte InGaAs-Fotodioden, 4 Elemente, 1 mm Durchmesser

Konformität mit Standards

Beschreibung Produktfamilie