Betriebstemperatur (°C):

-20 to +60

Aktive Fläche (mm):

2.4 x 2.4

Lagerungstemperatur (°C):

-55 to +80

Anstiegszeit (μs):

0.5 @ 0 V, 1 kΩ

Empfindlichkeit bei 980nm (A/W):

0.36

Ableitwiderstand @ V=-10mV (GΩ):

Minimum: 2
Typical: 20

Empfindlichkeit bei 633nm (A/W):

0.34

Empfindlichkeit bei 200nm (A/W):

0.12

Kapazität @ V_R=0V (pF):

140.00

Aktive Fläche (mm²):

5.7

Rauschäquivalente Leistung NEP (W/ Hz^1/2):

8.2 x 10^-15 @ 0 V, 200nm

Max. Sperrspannung (V):

5.00

Stecker:

TO-5

Empfindlichkeitspeak (nm):

720.00

Konformität mit Standards

RoHS:

Konform

Konformitätszertifikat:

Anzeigen

Beschreibung Produktfamilie

Ausgezeichnete UV-Empfindlichkeit
Hoher Ableitwiderstand
Niedrige Kapazität

Fotodioden für den tiefen UV-Bereich eignen sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, beispielsweise für die UV-Spektrophotometrie und Analyse- sowie medizinische Geräte. Die Fotodioden haben eine erhöhte Empfindlichkeit von 200 – 400 nm und erkennen auch noch Wellenlängen von 190 nm. Die Detektoren haben ein Schutzfenster aus Quarzglas und ein Metall- oder Keramikgehäuse. Modelle mit reduzierter Empfindlichkeit im Nahinfrarotbereich sind ebenfalls erhältlich.

5,7mm2 DUV-Fotodiode, Metallgehäuse, NIR-Unterdrückung

Konformität mit Standards

Beschreibung Produktfamilie

5,7mm² DUV-Fotodiode, Metallgehäuse, NIR-Unterdrückung