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5,7mm2 DUV-Fotodiode, Metallgehäuse, NIR-Unterdrückung

DUV Photodiodes

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Betriebstemperatur (°C):
-20 to +60
Aktive Fläche (mm):
2.4 x 2.4
Lagerungstemperatur (°C):
-55 to +80
Anstiegszeit (μs):
0.5 @ 0 V, 1 kΩ
Empfindlichkeit bei 980nm (A/W):
0.36
Ableitwiderstand @ V=-10mV (GΩ):
Minimum: 2
Typical: 20
Empfindlichkeit bei 633nm (A/W):
0.34
Empfindlichkeit bei 200nm (A/W):
0.12
Kapazität @ VR=0V (pF):
140.00
Aktive Fläche (mm)2):
5.7
Rauschäquivalente Leistung NEP (W/ Hz1/2):
8.2 x 10-15 @ 0 V, 200nm
Max. Sperrspannung (V):
5.00
Stecker:
TO-5
Empfindlichkeitspeak (nm):
720.00

Konformität mit Standards

RoHS:
Konformitätszertifikat:

Beschreibung Produktfamilie

  • Ausgezeichnete UV-Empfindlichkeit
  • Hoher Ableitwiderstand
  • Niedrige Kapazität

Fotodioden für den tiefen UV-Bereich eignen sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, beispielsweise für die UV-Spektrophotometrie und Analyse- sowie medizinische Geräte. Die Fotodioden haben eine erhöhte Empfindlichkeit von 200 – 400 nm und erkennen auch noch Wellenlängen von 190 nm. Die Detektoren haben ein Schutzfenster aus Quarzglas und ein Metall- oder Keramikgehäuse. Modelle mit reduzierter Empfindlichkeit im Nahinfrarotbereich sind ebenfalls erhältlich.

 
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