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InGaAs-Fotodiode, 0,5 mm Durchm., TO-46-Gehäuse

InGaAs Photodiodes (FC Receptacle	, TO-5, TO-46)

InGaAs Photodiodes (FC Receptacle , TO-5, TO-46)

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Typ:
InGaAs Photodiode
Empfindlichkeit bei 1550 nm (A/W):
0.9 minimum / 0.95 typical
Empfindlichkeit bei 1310 nm (A/W):
0.8 minimum / 0.9 typical
Kapazität @ VR=5V (pF):
20 typical
Rauschäquivalente Leistung NEP (W/ Hz1/2):
8.42 x 10-15
Durchmesser aktive Fläche (mm):
0.5
Dunkelstrom @ VR=5V (nA):
0.50 typical / 20 maximum
Max. Durchlassstrom (mA):
8
Max. Sperrstrom (mA):
2
Max. Sperrspannung (V):
15
Gehäuse:
TO-46
Anstiegs-/Abfallzeit @ VR=5V (ns):
10

Konformität mit Standards

RoHS:

Beschreibung Produktfamilie

  • Ansprechempfindlichkeit von 900 nm bis 1700 nm
  • Kleine Flächen (Hochgeschwindigkeit) und große Flächen
  • Einzel- und Multimodenfasereinkopplung

InGaAs-Fotodioden haben ein hervorragendes Ansprechverhalten von 900 nm bis 1700 nm. Sie eigenen sich ausgezeichnet zur Daten- und Nahinfrarotdetektion. Die Fotodioden mit 70 und die 120 Mikrometern werden in einem isolierten TO-46-Gehäuse angeboten mit einer Anschlusskappe mit Linse für Einzel- und Multimodenfasereinkopplung. Diese beiden Größen sind auch mit FC-Faserstecker erhältlich. Die 70 Mikrometer Fotodiode eignet sich besonders für Anwendungen mit großer Bandbreite, während die 120 Mikrometer Fotodiode ideal für Anwendungen mit aktiver Justage ist. Die 3 mm Fotodiode hat ein isoliertes TO-5-Gehäuse, mit einem beidseitig breitbandig antireflexbeschichtetem Fenster. Aufgrund des hohen Ableitwiderstandes eignen sich die 3 mm Fotodioden sowohl für hochempfindliche Anwendungen als auch für Anwendungen mit schwachen Signalen.

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EINE AUSWAHL UNSERER MITGLIEDSCHAFTEN:

Spectaris Optence Photonics21 Epic EMVA EOS Photonics FranceCLP

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