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613,0mm2 Siliziumdetektor, normal

Silicon Photodiodes

Silicon Photodiodes

Lager #53-374
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Typ:
Biased
Spannungsoffset, Voffset (V):
-10
Hinweis:
Normal Response
Protective Window:
Borosilicate
Betriebstemperatur (°C):
-10 to 60
Empfindlichkeit bei 970 nm (A/W):
0.65
Rauschäquivalente Leistung NEP (W/ Hz1/2):
1.1 x 10-13
Detektivität (cmHz1/2/W):
2.25 x 1013 @ -10 V, 970nm
Aktive Fläche (mm)2):
613.0
Package:
BNC
Dunkelstrom Id (nA):
15 @ 10V
Länge der Anschlussstifte (Inch):
BNC
Maximale Durchbruchspannung (V):
30.00
Außendurchmesser (Zoll):
1.675
Anstiegszeit (ns):
250 @ -10 V/50 Ω, 632nm
Anschlusskapazität (pF):
9500 @ 0 V; 1800 @ 10 V
Typische Anwendungen:
High light levels, pulse detectors, AC light measurement
Material:
PIN

Konformität mit Standards

RoHS:
Nicht konform

Produktbeschreibung

For #53-374: Housing is larger than standard BNC mount. Maximum housing outer diameter is 1.675", whereas typical BNC is 0.975".

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Spectaris Optence Photonics21 Epic EMVA EOS Photonics FranceCLP

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